IRLH5030TR2PBF

Infineon Technologies

IRLH5030TR2PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5185 pF @ 50 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 150µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 100A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePQFN (5x6) Single Die