IRL6372PBF

Infineon Technologies

IRL6372PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

Abgekündigt8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Basis-TeilenummerIRL6372
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1020pF @ 25V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusDiscontinued at
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 10µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.1A
Power - Max2W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)