IRL6297SDTRPBF

Infineon Technologies

IRL6297SDTRPBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFETSA

ObsoletDirectFET™ Isometric SAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.9mOhm @ 15A, 4.5V
Basis-TeilenummerIRL6297
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2245pF @ 10V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 35µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A
Power - Max1.7W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseDirectFET™ Isometric SA
Hersteller-GehäuseDIRECTFET™ SA

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)