IRL60SC216ARMA1

Infineon Technologies

IRL60SC216ARMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 324A TO263-7

AktivTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs218 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16000 pF @ 30 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieStrongIRFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C324A (Tc)
Max. Verlustleistung2.4W (Ta), 375W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Hersteller-GehäusePG-TO263-7

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)