IRL40SC209

Infineon Technologies

IRL40SC209

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK

AktivTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CBAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.8mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs267 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15270 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieStrongIRFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C478A (Tc)
Max. Verlustleistung375W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Hersteller-GehäuseD2PAK (7-Lead)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)