IRL2910STRRPBF

Infineon Technologies

IRL2910STRRPBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

AbgekündigtTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 29A, 10V
Basis-TeilenummerIRL2910
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3700 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD2PAK