IRL100HS121

Infineon Technologies

IRL100HS121

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN

Aktiv6-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 6.7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds440 pF @ 50 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 10µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
Max. Verlustleistung11.5W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse6-PQFN (2x2) (DFN2020)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)