IRFSL4127PBF

Infineon Technologies

IRFSL4127PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 72A TO262

AktivTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 44A, 10V
Basis-TeilenummerIRFSL4127
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5380 pF @ 50 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C72A (Tc)
Max. Verlustleistung375W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Hersteller-GehäuseTO-262

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)