IRFR9014N

Infineon Technologies

IRFR9014N

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

ObsoletTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 3.1A, 10V
Basis-TeilenummerIRFR9014
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.1A (Tc)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta), 25W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseD-Pak