IRFR8314TRPBF

Name: IRFR8314TRPBF
Brand: Infineon Technologies

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 90A DPAK

AktivTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2mOhm @ 90A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4945 pF @ 15 V
Hersteller	Infineon Technologies
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Serie	HEXFET®
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 100µA

Drain-Source-Spannung	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Max. Verlustleistung	125W (Tc)

Package / Case	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-Gehäuse	TO-252AA (DPAK)

Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)