IRFR3910TRPBF

Infineon Technologies

IRFR3910TRPBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 16A DPAK

AktivTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs115mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds640 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
Max. Verlustleistung79W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252AA (DPAK)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)