IRFI4212H-117P

Infineon Technologies

IRFI4212H-117P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5

ObsoletTO-220-5 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Basis-TeilenummerIRFI4212
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds490pF @ 50V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A
Power - Max18W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-5 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220-5 Full-Pak

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)