IRFHS8242TR2PBF

Infineon Technologies

IRFHS8242TR2PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN

Obsolet6-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 8.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds653 pF @ 10 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.9A (Ta), 21A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case6-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse6-PQFN (2x2)