IRFHM9331TR2PBF

Infineon Technologies

IRFHM9331TR2PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN

Obsolet8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 11A, 20V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1543 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 25µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 24A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePQFN (3x3)