IRFHM8363TR2PBF

Infineon Technologies

IRFHM8363TR2PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs14.9mOhm @ 10A, 10V
Basis-TeilenummerIRFHM8363
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1165pF @ 10V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A
Power - Max2.7W

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN-Dual (3.3x3.3)