IRFHM8326TRPBF

Infineon Technologies

IRFHM8326TRPBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 25A PQFN

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 20A, 10V
Basis-TeilenummerIRFHM8326
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2496 pF @ 10 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 50µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Ta)
Max. Verlustleistung2.8W (Ta), 37W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)