IRFHM831TR2PBF

Infineon Technologies

IRFHM831TR2PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 14A PQFN

Obsolet8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.8mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1050 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Ta), 40A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePQFN (3x3)