IRFHM830TR2PBF

Infineon Technologies

IRFHM830TR2PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

Obsolet8-VQFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2155 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 50µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Ta), 40A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case8-VQFN Exposed Pad
Hersteller-GehäusePQFN (3x3)