IRFHM792TRPBF

Infineon Technologies

IRFHM792TRPBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs195mOhm @ 2.9A, 10V
Basis-TeilenummerIRFHM792
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds251pF @ 25V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 10µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.3A
Power - Max2.3W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)