IRFHE4250DTRPBF

Infineon Technologies

IRFHE4250DTRPBF

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFN

Obsolet32-PowerWFQFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.75mOhm @ 27A, 10V
Basis-TeilenummerIRFHE4250
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1735pF @ 13V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieFASTIRFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 35µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C86A, 303A
Power - Max156W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case32-PowerWFQFN
Hersteller-Gehäuse32-PQFN (6x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)