IRFH8337TR2PBF

Infineon Technologies

IRFH8337TR2PBF

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN

Obsolet8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs12.8mOhm @ 16.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds790 pF @ 10 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta), 35A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePQFN (5x6)