IRFH7911TR2PBF

Infineon Technologies

IRFH7911TR2PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

Obsolet18-PowerVQFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.6mOhm @ 12A, 10V
Basis-TeilenummerIRFH7911
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1060pF @ 15V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A, 28A
Power - Max2.4W, 3.4W

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case18-PowerVQFN
Hersteller-GehäusePQFN (5x6)