IRFH7885TRPBF

Infineon Technologies

IRFH7885TRPBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 22A 8PQFN

Obsolet8-VQFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.9mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2311 pF @ 40 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieFASTIRFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 150µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Ta)
Max. Verlustleistung3.6W (Ta), 156W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-VQFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)