IRFH7085TRPBF

Infineon Technologies

IRFH7085TRPBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 100A PQFN

Abgekündigt8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 75A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6460 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
SerieStrongIRFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.7V @ 150µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Max. Verlustleistung156W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePQFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)