IRFH7004TR2PBF

Infineon Technologies

IRFH7004TR2PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6

Obsolet8-VQFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6419 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 150µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case8-VQFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (5x6)