IRFH6200TR2PBF

Infineon Technologies

IRFH6200TR2PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.95mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10890 pF @ 10 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 150µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C49A (Ta), 100A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (5x6)