IRFH5306TR2PBF

Infineon Technologies

IRFH5306TR2PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.1mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1125 pF @ 15 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta), 44A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePQFN (5x6) Single Die