IRFH5302TR2PBF

Infineon Technologies

IRFH5302TR2PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4400 pF @ 15 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Ta), 100A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePQFN (5x6) Single Die

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)