IRFH5220TR2PBF

Infineon Technologies

IRFH5220TR2PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN

Obsolet8-VQFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs99.9mOhm @ 5.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1380 pF @ 50 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A (Ta), 20A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case8-VQFN Exposed Pad
Hersteller-GehäusePQFN (5x6)