IRFH5210TR2PBF

Infineon Technologies

IRFH5210TR2PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs14.9mOhm @ 33A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2570 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 55A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (5x6)