IRFH5020TR2PBF

Infineon Technologies

IRFH5020TR2PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 7.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2290 pF @ 100 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 150µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.1A (Ta)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (5x6)