IRF9520NPBF

Infineon Technologies

IRF9520NPBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB

ObsoletTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs480mOhm @ 4A, 10V
Basis-TeilenummerIRF9520
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220AB