IRF9358TRPBF

Infineon Technologies

IRF9358TRPBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Basis-TeilenummerIRF9358
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1740pF @ 25V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 25µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.2A
Power - Max2W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)