IRF8915

Name: IRF8915
Brand: Infineon Technologies

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Basis-Teilenummer	IRF89
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	540pF @ 10V
Hersteller	Infineon Technologies
Montageart	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Serie	HEXFET®
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.9A
Power - Max	2W

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)