IRF8513PBF

Infineon Technologies

IRF8513PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs15.5mOhm @ 8A, 10V
Basis-TeilenummerIRF8513
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds766pF @ 15V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A, 11A
Power - Max1.5W, 2.4W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)