IRF7907TRPBF

Infineon Technologies

IRF7907TRPBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Basis-TeilenummerIRF7907
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds850pF @ 15V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.1A, 11A
Power - Max2W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)