IRF7901D1

Infineon Technologies

IRF7901D1

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs38mOhm @ 5A, 4.5V
Basis-TeilenummerIRF7901
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds780pF @ 16V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieFETKY™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.2A
Power - Max2W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)