Allgemein
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Serie | HEXFET® |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 28 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.5A (Ta) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Hersteller-Gehäuse | 8-SO |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|