IRF7809

Infineon Technologies

IRF7809

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 17.6A 8SO

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 15A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs86 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7300 pF @ 16 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17.6A (Ta)
Max. Verlustleistung3.5W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO