IRF7756

Infineon Technologies

IRF7756

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP

Obsolet8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Basis-TeilenummerIRF775
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 10V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A
Power - Max1W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-TSSOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)