IRF7488PBF

Infineon Technologies

IRF7488PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 6.3A 8SO

Abgekündigt8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 3.8A, 10V
Basis-TeilenummerIRF7488
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1680 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusDiscontinued at
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.3A (Ta)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO