IRF7351PBF

Infineon Technologies

IRF7351PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

Abgekündigt8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17.8mOhm @ 8A, 10V
Basis-TeilenummerIRF7351PBF
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1330pF @ 30V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusDiscontinued at
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 50µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A
Power - Max2W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)