IRF7335D1TR

Infineon Technologies

IRF7335D1TR

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 10A 14SOIC

Obsolet14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17.5mOhm @ 10A, 4.5V
Basis-TeilenummerIRF733
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 15V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieFETKY™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A
Power - Max2W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse14-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)