IRF7317TRPBF

Infineon Technologies

IRF7317TRPBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO

Abgekündigt8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 6A, 4.5V
Basis-TeilenummerIRF731
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds900pF @ 15V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.6A, 5.3A
Power - Max2W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)