IRF6723M2DTR1P

Infineon Technologies

IRF6723M2DTR1P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFETMA

ObsoletDirectFET™ Isometric MAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.6mOhm @ 15A, 10V
Basis-TeilenummerIRF6723
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1380pF @ 15V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A
Power - Max2.7W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseDirectFET™ Isometric MA
Hersteller-GehäuseDIRECTFET™ MA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)