IRF5850

Infineon Technologies

IRF5850

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP

ObsoletSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Basis-TeilenummerIRF58
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds320pF @ 15V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A
Power - Max960mW

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-Gehäuse6-TSOP