IRF5802TR

Infineon Technologies

IRF5802TR

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP

ObsoletSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 540mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds88 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C900mA (Ta)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-GehäuseMicro6™(TSOP-6)