IRF300P227

Infineon Technologies

IRF300P227

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4893 pF @ 50 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieStrongIRFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 270µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Max. Verlustleistung313W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäusePG-TO247-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)