IRF2804LPBF

Infineon Technologies

IRF2804LPBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 75A TO262

AbgekündigtTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 75A, 10V
Basis-TeilenummerIRF2804
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6450 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusNot For New Designs
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tc)
Max. Verlustleistung300W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Hersteller-GehäuseTO-262

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)