IRF150P221XKMA1

Infineon Technologies

IRF150P221XKMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3

ObsoletTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6000 pF @ 75 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieStrongIRFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.6V @ 264µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C186A (Tc)
Max. Verlustleistung341W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäusePG-TO247-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)